Оптические и прочностные свойства пленок негативного фоторезиста AZ nLOF 5510 на монокристаллическом кремнии

Abstract

Методами индентирования и ИК-Фурье-спектроскопии диффузного отражения исследованы пленки негативного фоторезиста (ФР) AZ nLOF 5510 толщиной 0,99 мкм, нанесенные на поверхность пластин кремния методом центрифугирования. В спектрах диффузного отражения структур ФР/кремний полосы поглощения фоторезиста наблюдаются на фоне интерференционных полос, что позволяет использовать методику для измерения толщины пленки или ее показателя преломления. Наиболее интенсивными в спектрах ФР серии AZ nLOF являются полосы валентных колебаний ароматического кольца, пульсационных колебаний углеродного скелета ароматического кольца, широкая структурированная полоса с несколькими максимумами в диапазоне 1050–1270 см–1 и полоса, связанная с СН2-мостиком. Показано, что дополнительная сушка и ионное травление в потоке Ar+ приводит к увеличению микротвердости пленки AZ nLOF 5510, обусловленному сшиванием молекул фоторезиста. Исходные фоторезистивные пленки при индентировании ведут себя как упругопластичные материалы, а после дополнительной обработки с использованием ионного травления, как твердые непластичные материалы.