Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: https://elib.psu.by/handle/123456789/47425
Полная запись метаданных
Поле DCЗначениеЯзык
dc.contributor.authorВорсин, Н. Н.ru_RU
dc.contributor.authorГладыщук, А. А.ru_RU
dc.contributor.authorКушнер, Т. Л.ru_RU
dc.contributor.authorТарасюк, Н. П.ru_RU
dc.contributor.authorЧугунов, С. В.ru_RU
dc.date.accessioned2025-04-10T05:32:24Z-
dc.date.available2025-04-10T05:32:24Z-
dc.date.issued2025
dc.identifier.citationВорсин, Н. Н. Моделирование p-i-n фотодиодов на основе AlGaN / Н. Н. Ворсин, А. А. Гладыщук, Т. Л. Кушнер, Н. П. Тарасюк [и др.] // Актуальные проблемы физики, электроники и энергетики [Электронный ресурс] : электронный сборник статей II Международной научно-практической конференции, Новополоцк, 14 ноября 2024 г. / Полоцкий государственный университет имени Евфросинии Полоцкой. – Новополоцк, 2025. – С. 36-40.ru_RU
dc.identifier.urihttps://elib.psu.by/handle/123456789/47425-
dc.description.abstractТройные соединения AlGaN с шириной запрещенной зоны от 3,4 до 6,2 эВ являются перспективными материалами для фотоприемных устройств в ультрафиолетовом диапазоне. С помощью программного обеспечения COMSOL Multiphysics на основе AlxGa1-xN разработана модель p-i-n фотодиода, включая его ВАХ, спектральную чувствительность принимаемого излучения и коэффициента поглощения как функции доли алюминия и толщины обедненного слоя. Пиковая чувствительность фотодиода составляет от 0,08 до 0,18 A/Вт в диапазоне длин волн от 0,20 до 0,33 мкм.ru_RU
dc.language.isoruru_RU
dc.publisherПолоцкий государственный университет имени Евфросинии Полоцкойru_RU
dc.rightsopen accessru_RU
dc.titleМоделирование p-i-n фотодиодов на основе AlGaNru_RU
dc.typeArticleru_RU
dc.citation.spage36ru_RU
dc.citation.epage40ru_RU
Располагается в коллекциях:Актуальные проблемы физики, электроники и энергетики. 2024

Файлы этого ресурса:
Файл РазмерФормат 
36-40.pdf931.21 kBAdobe PDFПросмотреть/Открыть


Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.