Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс:
https://elib.psu.by/handle/123456789/47425| Название: | Моделирование p-i-n фотодиодов на основе AlGaN |
| Авторы: | Ворсин, Н. Н. Гладыщук, А. А. Кушнер, Т. Л. Тарасюк, Н. П. Чугунов, С. В. |
| Дата публикации: | 2025 |
| Издатель: | Полоцкий государственный университет имени Евфросинии Полоцкой |
| Библиографическое описание: | Ворсин, Н. Н. Моделирование p-i-n фотодиодов на основе AlGaN / Н. Н. Ворсин, А. А. Гладыщук, Т. Л. Кушнер, Н. П. Тарасюк [и др.] // Актуальные проблемы физики, электроники и энергетики [Электронный ресурс] : электронный сборник статей II Международной научно-практической конференции, Новополоцк, 14 ноября 2024 г. / Полоцкий государственный университет имени Евфросинии Полоцкой. – Новополоцк, 2025. – С. 36-40. |
| Аннотация: | Тройные соединения AlGaN с шириной запрещенной зоны от 3,4 до 6,2 эВ являются перспективными материалами для фотоприемных устройств в ультрафиолетовом диапазоне. С помощью программного обеспечения COMSOL Multiphysics на основе AlxGa1-xN разработана модель p-i-n фотодиода, включая его ВАХ, спектральную чувствительность принимаемого излучения и коэффициента поглощения как функции доли алюминия и толщины обедненного слоя. Пиковая чувствительность фотодиода составляет от 0,08 до 0,18 A/Вт в диапазоне длин волн от 0,20 до 0,33 мкм. |
| URI (Унифицированный идентификатор ресурса): | https://elib.psu.by/handle/123456789/47425 |
| Права доступа: | open access |
| Располагается в коллекциях: | Актуальные проблемы физики, электроники и энергетики. 2024 |
Файлы этого ресурса:
| Файл | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|
| 36-40.pdf | 931.21 kB | Adobe PDF | Просмотреть/Открыть |
Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.