Пленки негативного фоторезиста AZ nLOF 5510, облученные электронами

Abstract

Методом ИК-Фурье-спектроскопии с использованием приставки для диффузного отражения исследованы пленки негативных фоторезистов (ФР) AZ nLOF 5510 толщиной 0,99 мкм, нанесенные на поверхность пластин кремния методом центрифугирования. Облучение электронами с энергией 3,5 МэВ дозой до Ф = 7?1016?см–2 проводилось на линейном ускорителе электронов ЭЛУ-4. Показано, что углерод-водородные связи основного компонента фоторезиста – фенолформальдегидной смолы – стабильны вплоть до доз ~ (1–3)?1016 см–2. Связанные с растворителем полосы исчезают из спектра при дозах облучения < 1?1015 см–2. При облучении в интервале волновых чисел 1620–1660 см–1 возникают полосы, обусловленные формальдегидом, образующимся в результате реакции ?-фрагментации кислород-центрованного радикала. Полосы, связанные с колебаниями ароматического кольца, достаточно стабильны. Их интенсивность заметно снижается только при дозе Ф = 7?1016 см-2. В области валентных колебаний кратных связей С=О при облучении наблюдалась сложная перестройка спектра, обусловленная несколькими процессами, протекающими при взаимодействии компонентов фоторезиста во время облучения электронами. В частности, могут наблюдаться трансформация ближайших заместителей связей С=О, сшивка молекул, увеличение количества сопряженных кратных связей как результат формирования хиноидных структур.