ИК-Фурье спектроскопия пленок негативного фоторезиста KMP E3502 на монокристаллическом кремнии

Abstract

Методом ИК-Фурье спектроскопии с использованием приставки для диффузного отражения иссле-дованы пленки негативного фоторезиста KMP E3502 толщиной 2,62–5,9 мкм, нанесенные на поверхность пластин кремния методом центрифугирования. Наиболее интенсивные полосы поглощения в отражательно-абсорбционных спектрах фоторезистивных пленок KMP E3502 наблюдаются в диапазоне волновых чисел 1000–1800 см–1 и характерны для фенолформальдегидной смолы. Анализ отражательно-абсорбционных спектров пленок KMP E3502 позволяет заключить, что их основным пленкообразующим компонентом является смесь фенолформальдегидных смол. В области волновых чисел 400–1000 см–1 в тонких (2,62 мкм) пленках KMP E3502 наблюдалась широкая полоса с максимумом в области 650–700 см–1, которая обуслов-лена процессами на границе раздела фоторезист/кремний. Показано, что при увеличении толщины фото-резистивной пленки от 2,62 мкм до 5,9 мкм кромочный валик (утолщение у края пластины) увеличивается на порядок.