1. Репозиторий Полоцкого государственного университета имени Евфросинии Полоцкой
  2. Периодические издания Полоцкого государственного университета имени Евфросинии Полоцкой
  3. Серия B. Промышленность. Прикладные науки. ISSN 2710-3900 (Online)
  4. 2013, № 3
Please use this identifier to cite or link to this item: https://elib.psu.by/handle/123456789/791
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorБелоус, А. И.-
dc.contributor.authorБогатырев, Ю. В.-
dc.contributor.authorВерниковский, Е. А.-
dc.contributor.authorПрибыльский, А. В.-
dc.date.accessioned2013-11-19T12:00:29Z-
dc.date.available2013-11-19T12:00:29Z-
dc.date.issued2013-
dc.identifier.citationВестник Полоцкого государственного университета. Серия B, Промышленность. Прикладные науки. - 2013.- № 3.- С. 116-120.ru_RU
dc.identifier.urihttps://elib.psu.by/handle/123456789/791-
dc.descriptionSELECTION OF CMOS CIRCUIT COMMUNTATION AT IONIZING RADIATION IMPACT / A. BELOUS, Y. BOGATYREV, E. VERNIKOUSKI, A. PRYBYLSKIru_RU
dc.description.abstractПриведены схемотехнические и топологические решения для повышения радиационной стойкости интегральных схем за счет учета изменения порога переключения элементарного КМОП-вентиля при воздействии ионизирующего излучения. Приведена качественная и количественная оценка влияния ионизирующего излучения на параметры транзисторов в зависимости от конструктивно-топологических характеристик. Определены численные значения порога переключения в зависимости от уровня воздействия ионизирующего излучения. Предложены конкретные рекомендации по выбору порога переключения КМОП схем, работающих в условиях ионизирующего излучения, что позволяет выбрать его оптимальное значение на стадии проектирования.ru_RU
dc.language.isoruru_RU
dc.publisherПолоцкий государственный университетru_RU
dc.relation.ispartofВеснік Полацкага дзяржаўнага ўніверсітэта. Серыя B, Прамысловасць. Прыкладныя навукіbe_BE
dc.relation.ispartofHerald of Polotsk State University. Series B, Industry. Applied Sciencesen_EN
dc.relation.ispartofВестник Полоцкого государственного университета. Серия B, Промышленность. Прикладные наукиru_RU
dc.relation.ispartofseriesСерия B, Промышленность. Прикладные науки;2013.- № 3-
dc.rightsopen accessru_RU
dc.subjectЭлектротехника в целомru_RU
dc.subjectКМОП схемыru_RU
dc.subjectионизирующее излучениеru_RU
dc.subjectрадиационная стойкостьru_RU
dc.subjectтранзисторыru_RU
dc.subjectпорог переключенияru_RU
dc.titleВыбор порога переключения кмоп схем при воздействии ионизирующего изученияru_RU
dc.title.alternativeSelection of Cmos Circuit Communtation At Ionizing Radiation Impact-
dc.typeArticleru_RU
Appears in Collections:2013, № 3

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
116-120.pdf313.2 kBAdobe PDFThumbnail
View/Open
Show simple item record Recommend this item Google Scholar


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.