Please use this identifier to cite or link to this item:
https://elib.psu.by/handle/123456789/791| Title: | Выбор порога переключения кмоп схем при воздействии ионизирующего изучения |
| Authors: | Белоус, А. И. Богатырев, Ю. В. Верниковский, Е. А. Прибыльский, А. В. |
| Other Titles: | Selection of Cmos Circuit Communtation At Ionizing Radiation Impact |
| Issue Date: | 2013 |
| Publisher: | Полоцкий государственный университет |
| Citation: | Вестник Полоцкого государственного университета. Серия B, Промышленность. Прикладные науки. - 2013.- № 3.- С. 116-120. |
| Abstract: | Приведены схемотехнические и топологические решения для повышения радиационной стойкости интегральных схем за счет учета изменения порога переключения элементарного КМОП-вентиля при воздействии ионизирующего излучения. Приведена качественная и количественная оценка влияния ионизирующего излучения на параметры транзисторов в зависимости от конструктивно-топологических характеристик. Определены численные значения порога переключения в зависимости от уровня воздействия ионизирующего излучения. Предложены конкретные рекомендации по выбору порога переключения КМОП схем, работающих в условиях ионизирующего излучения, что позволяет выбрать его оптимальное значение на стадии проектирования. |
| Keywords: | Электротехника в целом КМОП схемы ионизирующее излучение радиационная стойкость транзисторы порог переключения |
| URI: | https://elib.psu.by/handle/123456789/791 |
| metadata.dc.rights: | open access |
| Appears in Collections: | 2013, № 3 |
Files in This Item:
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| 116-120.pdf | 313.2 kB | Adobe PDF |  View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.