1. Репозиторий Полоцкого государственного университета имени Евфросинии Полоцкой
  2. Периодические издания Полоцкого государственного университета имени Евфросинии Полоцкой
  3. Серия C. Фундаментальные науки. ISSN 2710-4230 (Online)
  4. 2013, № 4
Please use this identifier to cite or link to this item: https://elib.psu.by/handle/123456789/90
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorВабищевич, Н. В.-
dc.contributor.authorВабищевич, С. А.-
dc.contributor.authorБринкевич, Д. И.-
dc.contributor.authorОджаев, В. Б.-
dc.contributor.authorПросолович, В. С.-
dc.contributor.authorЯнковский, Ю. Н.-
dc.contributor.authorПростомолотов, А. И.-
dc.date.accessioned2013-10-03T12:37:52Z-
dc.date.available2013-10-03T12:37:52Z-
dc.date.issued2013-
dc.identifier.citationВестник Полоцкого государственного университета. Сер. C, Фундаментальные науки.- Новополоцк: ПГУ.- 2013. - № 4. - С. 69-74.ru_RU
dc.identifier.urihttps://elib.psu.by/handle/123456789/90-
dc.description.abstractМетодом микроиндентирования исследованы структуры фоторезист – кремний, имплантирован ные ионами сурьмы с энергией 60 кэВ. Обнаружено, что процессы радиационного дефектообразования протекают далеко за областью пробега ионов Sb+. Эффект радиационного упрочнения полимера наблюдался по всей толщине пленки, причем за слоем внедрения ионов указанный эффект выражен силь нее. Данный эффект обусловлен процессами радиационного сшивания. Показано, что ионная имплантация приводит к ухудшению адгезионного взаимодействия фотополимерной пленки с кремнием.ru_RU
dc.language.isoruru_RU
dc.publisherПолоцкий государственный университетru_RU
dc.relation.ispartofВеснік Полацкага дзяржаўнага ўніверсітэта. Серыя C, Фундаментальныя навукіbe_BE
dc.relation.ispartofHerald of Polotsk State University. Series C, Fundamental sciencesen_EN
dc.relation.ispartofВестник Полоцкого государственного университета. Серия C, Фундаментальные наукиru_RU
dc.relation.ispartofseriesСерия C, Фундаментальные науки;2013.- № 4-
dc.rightsopen accessru_RU
dc.subjectХимияen_US
dc.subjectХимические элементы и их соединенияen_US
dc.subjectЭнергетикаen_US
dc.subjectПроводниковые материалы и изделияen_US
dc.titleДефектообразование в фоторезисте за слоем внедрения ионовru_RU
dc.title.alternativeDefect Formation in the Photoresist Behind the Projected Ranges of Ionsru_RU
dc.typeArticleru_RU
Appears in Collections:2013, № 4

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
69-74.pdf346.46 kBAdobe PDFThumbnail
View/Open
Show simple item record Recommend this item Google Scholar


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.