Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс:
https://elib.psu.by/handle/123456789/90Полная запись метаданных
| Поле DC | Значение | Язык |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Вабищевич, Н. В. | - |
| dc.contributor.author | Вабищевич, С. А. | - |
| dc.contributor.author | Бринкевич, Д. И. | - |
| dc.contributor.author | Оджаев, В. Б. | - |
| dc.contributor.author | Просолович, В. С. | - |
| dc.contributor.author | Янковский, Ю. Н. | - |
| dc.contributor.author | Простомолотов, А. И. | - |
| dc.date.accessioned | 2013-10-03T12:37:52Z | - |
| dc.date.available | 2013-10-03T12:37:52Z | - |
| dc.date.issued | 2013 | - |
| dc.identifier.citation | Вестник Полоцкого государственного университета. Сер. C, Фундаментальные науки.- Новополоцк: ПГУ.- 2013. - № 4. - С. 69-74. | ru_RU |
| dc.identifier.uri | https://elib.psu.by/handle/123456789/90 | - |
| dc.description.abstract | Методом микроиндентирования исследованы структуры фоторезист – кремний, имплантирован ные ионами сурьмы с энергией 60 кэВ. Обнаружено, что процессы радиационного дефектообразования протекают далеко за областью пробега ионов Sb+. Эффект радиационного упрочнения полимера наблюдался по всей толщине пленки, причем за слоем внедрения ионов указанный эффект выражен силь нее. Данный эффект обусловлен процессами радиационного сшивания. Показано, что ионная имплантация приводит к ухудшению адгезионного взаимодействия фотополимерной пленки с кремнием. | ru_RU |
| dc.language.iso | ru | ru_RU |
| dc.publisher | Полоцкий государственный университет | ru_RU |
| dc.relation.ispartof | Веснік Полацкага дзяржаўнага ўніверсітэта. Серыя C, Фундаментальныя навукі | be_BE |
| dc.relation.ispartof | Herald of Polotsk State University. Series C, Fundamental sciences | en_EN |
| dc.relation.ispartof | Вестник Полоцкого государственного университета. Серия C, Фундаментальные науки | ru_RU |
| dc.relation.ispartofseries | Серия C, Фундаментальные науки;2013.- № 4 | - |
| dc.rights | open access | ru_RU |
| dc.subject | Химия | en_US |
| dc.subject | Химические элементы и их соединения | en_US |
| dc.subject | Энергетика | en_US |
| dc.subject | Проводниковые материалы и изделия | en_US |
| dc.title | Дефектообразование в фоторезисте за слоем внедрения ионов | ru_RU |
| dc.title.alternative | Defect Formation in the Photoresist Behind the Projected Ranges of Ions | ru_RU |
| dc.type | Article | ru_RU |
| Располагается в коллекциях: | 2013, № 4 | |
Файлы этого ресурса:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 69-74.pdf | 346.46 kB | Adobe PDF |  Просмотреть/Открыть |
Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.