Please use this identifier to cite or link to this item:
https://elib.psu.by/handle/123456789/90| Title: | Дефектообразование в фоторезисте за слоем внедрения ионов |
| Authors: | Вабищевич, Н. В. Вабищевич, С. А. Бринкевич, Д. И. Оджаев, В. Б. Просолович, В. С. Янковский, Ю. Н. Простомолотов, А. И. |
| Other Titles: | Defect Formation in the Photoresist Behind the Projected Ranges of Ions |
| Issue Date: | 2013 |
| Publisher: | Полоцкий государственный университет |
| Citation: | Вестник Полоцкого государственного университета. Сер. C, Фундаментальные науки.- Новополоцк: ПГУ.- 2013. - № 4. - С. 69-74. |
| Abstract: | Методом микроиндентирования исследованы структуры фоторезист – кремний, имплантирован ные ионами сурьмы с энергией 60 кэВ. Обнаружено, что процессы радиационного дефектообразования протекают далеко за областью пробега ионов Sb+. Эффект радиационного упрочнения полимера наблюдался по всей толщине пленки, причем за слоем внедрения ионов указанный эффект выражен силь нее. Данный эффект обусловлен процессами радиационного сшивания. Показано, что ионная имплантация приводит к ухудшению адгезионного взаимодействия фотополимерной пленки с кремнием. |
| Keywords: | Химия Химические элементы и их соединения Энергетика Проводниковые материалы и изделия |
| URI: | https://elib.psu.by/handle/123456789/90 |
| metadata.dc.rights: | open access |
| Appears in Collections: | 2013, № 4 |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.