Новые тенденции в развитии технологии и конструкций кремниевых тонкопленочных солнечных элементов

Abstract

Проведен анализ конструкций современных тонкопленочных солнечных элементов на основе поликристаллического кремния и основных технологических методов их производства. Показано, что наиболее перспективным методом получения тонкопленочных фотоэлектрических преобразователей является электронно-лучевое испарение в сочетании с термическим отжигом дефектов осажденных слоев. Анализ рассмотренных конструктивных вариантов и методов изготовления тонкопленочных поликристаллических кремниевых солнечных элементов показывает, что тонкопленочная технология их получения обладает рядом достоинств, обусловливающих перспективность ее внедрения в промышленных масштабах. Необходимое условие дальнейшего развития тонкопленочной технологии производства поликристаллических кремниевых солнечных элементов – использование высокоскоростных методов осаждения функциональных слоев, обеспечивающих минимальное количество дефектов и качественное воспроизведение стехиометрии исходных образцов на поверхности осаждения.