Please use this identifier to cite or link to this item: http://elib.psu.by:8080/handle/123456789/90
Title: Дефектообразование в фоторезисте за слоем внедрения ионов
Authors: Вабищевич, Н. В.
Вабищевич, С. А.
Бринкевич, Д. И.
Оджаев, В. Б.
Просолович, В. С.
Янковский, Ю. Н.
Простомолотов, А. И.
Keywords: Химия
Химические элементы и их соединения
Энергетика
Проводниковые материалы и изделия
Issue Date: Mar-2013
Publisher: Новополоцк: ПГУ
Citation: Вестник Полоцкого государственного университета. Сер. C, Фундаментальные науки.- Новополоцк: ПГУ.- 2013. - № 4. - С. 69-74
Series/Report no.: Серия C, Фундаментальные науки;2013.- № 4
Abstract: Методом микроиндентирования исследованы структуры фоторезист – кремний, имплантирован ные ионами сурьмы с энергией 60 кэВ. Обнаружено, что процессы радиационного дефектообразования протекают далеко за областью пробега ионов Sb+. Эффект радиационного упрочнения полимера наблюдался по всей толщине пленки, причем за слоем внедрения ионов указанный эффект выражен силь нее. Данный эффект обусловлен процессами радиационного сшивания. Показано, что ионная имплантация приводит к ухудшению адгезионного взаимодействия фотополимерной пленки с кремнием.
Description: DEFECT FORMATION IN THE PHOTORESIST BEHIND THE PROJECTED RANGES OF IONS / N. VABISHCHEVICH, S. VABISHCHEVICH, D. BRINKEVICH, V. ODZHAEV, V. PROSOLOVICH, YU. YANKOVSKI, A. PROSTOMOLOTOV
URI: http://elib.psu.by:8080/handle/123456789/90
Appears in Collections:2013, № 4

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Vabishhevich_2013-4.pdf342.61 kBAdobe PDFThumbnail
View/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.