Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс:
https://elib.psu.by/handle/123456789/90| Название: | Дефектообразование в фоторезисте за слоем внедрения ионов |
| Авторы: | Вабищевич, Н. В. Вабищевич, С. А. Бринкевич, Д. И. Оджаев, В. Б. Просолович, В. С. Янковский, Ю. Н. Простомолотов, А. И. |
| Другие названия: | Defect Formation in the Photoresist Behind the Projected Ranges of Ions |
| Дата публикации: | 2013 |
| Издатель: | Полоцкий государственный университет |
| Библиографическое описание: | Вестник Полоцкого государственного университета. Сер. C, Фундаментальные науки.- Новополоцк: ПГУ.- 2013. - № 4. - С. 69-74. |
| Аннотация: | Методом микроиндентирования исследованы структуры фоторезист – кремний, имплантирован ные ионами сурьмы с энергией 60 кэВ. Обнаружено, что процессы радиационного дефектообразования протекают далеко за областью пробега ионов Sb+. Эффект радиационного упрочнения полимера наблюдался по всей толщине пленки, причем за слоем внедрения ионов указанный эффект выражен силь нее. Данный эффект обусловлен процессами радиационного сшивания. Показано, что ионная имплантация приводит к ухудшению адгезионного взаимодействия фотополимерной пленки с кремнием. |
| Ключевые слова: | Химия Химические элементы и их соединения Энергетика Проводниковые материалы и изделия |
| URI (Унифицированный идентификатор ресурса): | https://elib.psu.by/handle/123456789/90 |
| Права доступа: | open access |
| Располагается в коллекциях: | 2013, № 4 |
Файлы этого ресурса:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 69-74.pdf | 346.46 kB | Adobe PDF |  Просмотреть/Открыть |
Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.