Please use this identifier to cite or link to this item: https://elib.psu.by/handle/123456789/90
Title: Дефектообразование в фоторезисте за слоем внедрения ионов
Authors: Вабищевич, Н. В.
Вабищевич, С. А.
Бринкевич, Д. И.
Оджаев, В. Б.
Просолович, В. С.
Янковский, Ю. Н.
Простомолотов, А. И.
Other Titles: Defect Formation in the Photoresist Behind the Projected Ranges of Ions
Issue Date: 2013
Publisher: Полоцкий государственный университет
Citation: Вестник Полоцкого государственного университета. Сер. C, Фундаментальные науки.- Новополоцк: ПГУ.- 2013. - № 4. - С. 69-74.
Abstract: Методом микроиндентирования исследованы структуры фоторезист – кремний, имплантирован ные ионами сурьмы с энергией 60 кэВ. Обнаружено, что процессы радиационного дефектообразования протекают далеко за областью пробега ионов Sb+. Эффект радиационного упрочнения полимера наблюдался по всей толщине пленки, причем за слоем внедрения ионов указанный эффект выражен силь нее. Данный эффект обусловлен процессами радиационного сшивания. Показано, что ионная имплантация приводит к ухудшению адгезионного взаимодействия фотополимерной пленки с кремнием.
Keywords: Химия
Химические элементы и их соединения
Энергетика
Проводниковые материалы и изделия
URI: https://elib.psu.by/handle/123456789/90
Appears in Collections:2013, № 4

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
69-74.pdf346.46 kBAdobe PDFThumbnail
View/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.