Please use this identifier to cite or link to this item: https://elib.psu.by/handle/123456789/19836
Title: Формирование легированных оксидов титана термолизом алкоксисоединений для компонентов электронной техники. Автореферат диссертации
Authors: Молодечкина, Т. В.
Issue Date: 2004
Citation: Молодечкина Т. В. Формирование легированных оксидов титана термолизом алкоксисоединений для компонентов электронной техники: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук по специальности 05.27.06 – технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники / Т. В. Молодечкина; Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники. - Защита сост.03. 06. 2004. - Минск, 2004. - 25 с.
Abstract: Предложено использование частично замещенных алкоголятов титана для формирования пленок TiO2 термообработкой пленкообразующих растворов. Установлено, что при импульсном отжиге за время 1 – 10 с происходит формирование слоя диоксида титана с равномерным распределением элементов по толщине, который может быть применен в качестве буферного покрытия при формировании микроэлектронных компонентов. Изучен процесс термолиза TiCl2(OC2H5)2 и TiCl2(OC4H9)2 в широком температурном диапазоне. Сделан вывод о большей термической устойчивости дихлородибутилата титана. Показана возможность использования химической модели адгезии для расчета поверхностной энергии диоксида титана на различных подложках. Это позволяет расположить исследованные структуры по убывающей прочности сцепления в следующий ряд: TiO2-Si; TiO2- Fe; TiO2-Cr; TiO2-Ni. Установлено, что восстановление в токе водорода легированного металлами диоксида титана (в количестве 1 – 10 ат. %) приводит к созданию материала, имеющего величину и характер температурной зависимости удельного объемного электрического сопротивления, характерную для полупроводников. = Use of partly substituted titanium alcoholates for formation of ТiО2 films by thermal treatment of film-forming solutions is offered. It is determined that at pulsed annealing during 1-10 sec there forms a layer of titanium dioxide with equal distribution of elements according to thickness, which can be applied as a buffer coating at formation of microelectronic components. Thermolysis process ТiСl2 (ОС2H5)2 and ТiСl2(ОС4H9)2 in a wide temperature range is investigated. This allows to draw a conclusion about greater thermal stability of titanium dichlorodibutylate. The possibility of using the chemical model of adhesion for the calculation of titanium dioxide surface energy on various substrates is shown . This allows to set the investigated structures in the following row according to decreasing adhesive strength: ТiO2- Si; ТiO2-Fe; ТiO2-Cr; ТiO2-Ni. It is determined, that restoration of metal-alloyed titanium dioxide in the flow of hydrogen (in quantity of 1-10 atomic percent) leads to the creation of the material which has the amount of specific volume of electric resistance about 25-950 Ohm . mm and temperature dependence of specific volume of electric resistance, characteristic of semiconductors.
Keywords: золь-гель метод
пленкообразующий раствор
тонкие пленки
импульсный отжиг
алкоксипроизводное
термическое окисление
термолиз
поверхностная энергия покрытия
sol-gel method
film-forming solution
thin films
alkoxy derivatives
pulsed annealing
thermal oxidation
thermolysis
coating surface energy
alloyed titanium oxides
Автореферат диссертации
05.27.06 – Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники
URI: https://elib.psu.by/handle/123456789/19836
Appears in Collections:Авторефераты диссертаций

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
avtoreferat_Молодечкина_2004.pdf1.12 MBAdobe PDFThumbnail
View/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.