Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс:
https://elib.psu.by/handle/123456789/24911
Название: | Радиационно-индуцированные процессы в пленках диазохинон-новолачного резиста на кремнии при имплантации ионов Ag+ |
Авторы: | Вабищевич, С. А. Вабищевич, Н. В. Эспиноза Де Лос Монтеро, Г. А. Бринкевич, Д. И. Просолович, В. С. Vabishchevich, S. Vabishchevich, N. Espinoza De Los Monteros, G. Brinkevich, D. Prosolovich, V. |
Другие названия: | Radiation-Induced Processes in Films of Diazoquinone-Novolac Resist on Silicon During Implantation of Ag+ Ions |
Дата публикации: | 2020 |
Издатель: | Полоцкий государственный университет |
Библиографическое описание: | Вабищевич, С. А. Радиационно-индуцированные процессы в пленках диазохинон-новолачного резиста на кремнии при имплантации ионов Ag+ / С. А. Вабищевич, Н. В. Вабищевич, Г. А. Эспиноза де лос Монтеро, Д. И. Бринкевич, В. С. Просолович // Вестник Полоцкого государственного университета. Серия C, Фундаментальные науки. - 2020. - № 4. - С. 43-47. |
Аннотация: | Методом ИК-Фурье спектроскопии нарушенного полного внутреннего отражения (НПВО) исследованы пленки диазохинон-новолачного фоторезиста ФП9120 толщиной 1,8 мкм, имплантированные ионами серебра c энергией 30 кэВ дозами 2,51016–11017 cм-2. Показано, что в процессе имплантации ионами Ag+ структур фоторезист – кремний происходит трансформация спектра НПВО, выражающаяся в перераспределении интенсивности колебаний С–О–Н-групп, смещении в высокоэнергетическую область и расширении полосы, обусловленной валентными колебаниями С=О. Установлено, что имплантация приводит к снижению интенсивности полосы связанных валентных колебаний О–Н-групп и смещению максимума указанной полосы в низкоэнергетическую область. Обнаружено снижение интенсивности полос поглощения остаточного формальдегида, обусловленное его испарением при имплантации в вакууме. Имплантация Ag+ замедляет «старение» фоторезиста, что обусловлено, вероятнее всего, формированием при ионной имплантации у поверхности фоторезиста компактного механически устойчивого углеродистого слоя, препятствующего проникновению видимого излучения и газов из атмосферы.= The method of IR Fourier transform spectroscopy of impaired total internal reflection (ATR) was used to study 1,8 μm thick FP9120 diazoquinone-lacquer photoresist films implanted with 30 keV silver ions with doses of 2,51016–11017 cm-2. It was shown that during the implantation of photoresist-silicon structures with Ag+ ions, the ATR spectrum transforms, which is manifested in the redistribution of the vibration intensity of the С–О–Н groups; displacement into the high-energy region and broadening of the band due to stretching vibrations C=O. It has been established that implantation leads to a decrease in the intensity of the band of coupled stretching vibrations of the OH group and a shift of the maximum of this band to the low-energy region. a decrease in the intensity of the absorption bands of residual formaldehyde due to its evaporation during implantation in vacuum was found. Ag+ implantation slows down the “aging” of the photoresist, which is most likely due to the formation of a compact mechanically stable carbon layer during ion implantation at the photoresist surface, which prevents the penetration of visible radiation and gases from the atmosphere. |
Ключевые слова: | Государственный рубрикатор НТИ - ВИНИТИ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика Диазохинон-новолачный резист Имплантация Ионы серебра Спектры нарушенного полного внутреннего отражения Biazoquinone-novolac resist Iimplantation Silver ions Spectra of impaired total internal reflection |
URI (Унифицированный идентификатор ресурса): | https://elib.psu.by/handle/123456789/24911 |
Права доступа: | open access |
Располагается в коллекциях: | 2020, № 4 |
Файлы этого ресурса:
Файл | Описание | Размер | Формат | |
---|---|---|---|---|
43-47.pdf | 418.25 kB | Adobe PDF | ![]() Просмотреть/Открыть |
Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.