Разработка структуры микромощного БиКМОП-элемента с повышенной устойчивостью к тиристорному эффекту

Abstract

Представлено разработанное новое конструктивно-схемотехническое решение базового микромощного БиКМОП-логического элемента, позволяющее повысить устойчивость к эффекту «защелкивания» без увеличения площади кристалла за счет оригинального конструктивно-технологического решения. Для гарантированного исключения возникновения тиристорного эффекта в предложенном БиКМОП- элементе необходимо поддерживать определенное соотношение между величинами омических сопротивлений двух введенных в структуру дополнительных областей. Исследования экспериментальных образцов тестовой БиКМОП-микросхемы, спроектированной на основе конструктивно-технологического решения, подтвердили факт повышения устойчивости к включению тиристорной структуры во всем диапазоне входных и питающих напряжений. По результатам проведенных исследований и технологических испытаний разработанные на основе предложенной конструкции библиотеки топологических решений БиКМОП-элементов, реализующих стандартные логические функции, введены в САПР разрабатывающих подразделений НПО «Интеграл».