Please use this identifier to cite or link to this item: https://elib.psu.by/handle/123456789/27622
Title: Время жизни носителей заряда в пластинах монокристаллического кремния с пленками диазохинон-новолачного фоторезиста
Authors: Вабищевич, С. А.
Вабищевич, Н. В.
Бринкевич, Д. И.
Просолович, В. С.
Тарасик, М. И.
Vabishchevich, S.
Vabishchevich, N.
Brinkevich, D.
Prosolovich, V.
Tarasik, M.
Other Titles: The Lifetime of Charge Carriers in Plates of Single Crystalline Silicon With Films of a Diazoquinon-Novolac Photoresist
Issue Date: 2021
Publisher: Полоцкий государственный университет
Citation: Вабищевич, С. А. Время жизни носителей заряда в пластинах монокристаллического кремния с пленками диазохинон-новолачного фоторезиста / С. А. Вабищевич, Н. В. Вабищевич, Д. И. Бринкевич, В. С. Просолович, М. И. Тарасик // Вестник Полоцкого государственного университета. Серия C, Фундаментальные науки. - 2021. - № 4. - С. 77-81.
Abstract: Время жизни неравновесных носителей заряда τ в пластинах монокристаллического кремния с нанесенными на его поверхность пленками диазохинон-новолачного резиста марок ФП9120 и SPR700 измерялось фазовым методом с применением бесконтактной СВЧ-техники трехсантиметрового диапазона. Установлено, что в центре пластины значения времени жизни несколько выше, чем у края. Поверхностное время жизни τs было ниже объемного τv. Длительное хранение приводило к снижению времени жизни, наиболее выраженному в случае τs. Это связано, предположительно, с накоплением в кремниевой пластине быстро-диффундирующих глубоких примесей. Имплантация ионов бора и фосфора приводила к снижению значений τv, обусловленному нагревом (до ~70 oС) кремниевой пластины в процессе имплантации. Поверхностное время жизни τs в процессе облучения γ-квантами дозой выше 1 кГр снижается более интенсивно, чем объемное τv, что, вероятнее всего, связано с обрывом связей Si–O–C на границе раздела фоторезист/кремний.= The lifetime of nonequilibrium charge carriers τ in monocrystalline silicon wafers with films of diazoquinone- novolac resist FP9120 and SPR700 deposited on its surface was measured by the phase method using contactless microwave technology in the three-centimeter range. It was found that the lifetime values at the center of the plate are slightly higher than at the edge. The surface lifetime τs was lower than the bulk lifetime τv. Longterm storage led to a decrease in the lifetime, which was most pronounced in the case of τs. This is presumably due to the accumulation of fast-diffusing deep impurities in the silicon wafer. The implantation of boron and phosphorus ions led to a decrease in the values of τv due to heating (up to ~ 70 oС) of the silicon wafer during implantation. The surface lifetime τs during irradiation with γ-quanta with a dose higher than 1 kGy decreases more intensively than the bulk τv, which is most likely due to the breaking of Si–O–C bonds at the photoresist/silicon interface.
Keywords: Государственный рубрикатор НТИ - ВИНИТИ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
Кремний
Диазохинон-новолачный резист
Время жизни
Гамма-облучение
Silicon
Diazoquinone-novolac resist
Lifetime
Gamma irradiation
URI: https://elib.psu.by/handle/123456789/27622
Appears in Collections:2021, № 4

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
77-81.pdf418.08 kBAdobe PDFThumbnail
View/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.