Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс:
https://elib.psu.by/handle/123456789/28040
Название: | Термическое дефектообразование в кремнии, выращенном в магнитном поле |
Авторы: | Бринкевич, Д. И. Петров, В. В. Вабищевич, Н. В. |
Дата публикации: | 2004 |
Издатель: | Полоцкий государственный университет |
Библиографическое описание: | Вестник Полоцкого государственного университета. Серия C, Фундаментальные науки. - 2004. - № 4. - C. 26-30. |
Аннотация: | Методами измерения спектров ИК-поглощения, эффекта Холла и проводимости исследованы процессы термического дефектообразования в кремнии, выращенном из расплава при наложении комбинированных электромагнитных полей (M-Si). Показано, что M-Si обладает более высокой термостабильностью по сравнению с кремнием, полученным по традиционной методике Чохральского. Установлена корреляция между концентрацией закалочных дефектов и содержанием фоновых технологических примесей в M-Si. |
Ключевые слова: | Государственный рубрикатор НТИ - ВИНИТИ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
URI (Унифицированный идентификатор ресурса): | https://elib.psu.by/handle/123456789/28040 |
Права доступа: | open access |
Располагается в коллекциях: | 2004, № 4 |
Файлы этого ресурса:
Файл | Описание | Размер | Формат | |
---|---|---|---|---|
26-30.pdf | 230.53 kB | Adobe PDF | Просмотреть/Открыть |
Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.