Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: https://elib.psu.by/handle/123456789/28040
Название: Термическое дефектообразование в кремнии, выращенном в магнитном поле
Авторы: Бринкевич, Д. И.
Петров, В. В.
Вабищевич, Н. В.
Дата публикации: 2004
Издатель: Полоцкий государственный университет
Библиографическое описание: Вестник Полоцкого государственного университета. Серия C, Фундаментальные науки. - 2004. - № 4. - C. 26-30.
Аннотация: Методами измерения спектров ИК-поглощения, эффекта Холла и проводимости исследованы процессы термического дефектообразования в кремнии, выращенном из расплава при наложении комбинированных электромагнитных полей (M-Si). Показано, что M-Si обладает более высокой термостабильностью по сравнению с кремнием, полученным по традиционной методике Чохральского. Установлена корреляция между концентрацией закалочных дефектов и содержанием фоновых технологических примесей в M-Si.
Ключевые слова: Государственный рубрикатор НТИ - ВИНИТИ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
URI (Унифицированный идентификатор ресурса): https://elib.psu.by/handle/123456789/28040
Права доступа: open access
Располагается в коллекциях:2004, № 4

Файлы этого ресурса:
Файл Описание РазмерФормат 
26-30.pdf230.53 kBAdobe PDFЭскиз
Просмотреть/Открыть


Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.