Please use this identifier to cite or link to this item:
https://elib.psu.by/handle/123456789/28040
Full metadata record
DC Field | Value | Language |
---|---|---|
dc.contributor.author | Бринкевич, Д. И. | - |
dc.contributor.author | Петров, В. В. | - |
dc.contributor.author | Вабищевич, Н. В. | - |
dc.date.accessioned | 2021-11-15T08:17:05Z | - |
dc.date.available | 2021-11-15T08:17:05Z | - |
dc.date.issued | 2004 | - |
dc.identifier.citation | Вестник Полоцкого государственного университета. Серия C, Фундаментальные науки. - 2004. - № 4. - C. 26-30. | ru_RU |
dc.identifier.issn | 2070-1624 | - |
dc.identifier.uri | https://elib.psu.by/handle/123456789/28040 | - |
dc.description.abstract | Методами измерения спектров ИК-поглощения, эффекта Холла и проводимости исследованы процессы термического дефектообразования в кремнии, выращенном из расплава при наложении комбинированных электромагнитных полей (M-Si). Показано, что M-Si обладает более высокой термостабильностью по сравнению с кремнием, полученным по традиционной методике Чохральского. Установлена корреляция между концентрацией закалочных дефектов и содержанием фоновых технологических примесей в M-Si. | ru_RU |
dc.language.iso | ru | ru_RU |
dc.publisher | Полоцкий государственный университет | ru_RU |
dc.relation.ispartof | Веснік Полацкага дзяржаўнага ўніверсітэта. Серыя C, Фундаментальныя навукі | be_BE |
dc.relation.ispartof | Herald of Polotsk State University. Series C, Fundamental sciences | en_EN |
dc.relation.ispartof | Вестник Полоцкого государственного университета. Серия C, Фундаментальные науки | ru_RU |
dc.relation.ispartofseries | Серия C, Фундаментальные науки;2004. - № 4 | - |
dc.rights | open access | ru_RU |
dc.subject | Государственный рубрикатор НТИ - ВИНИТИ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика | ru_RU |
dc.title | Термическое дефектообразование в кремнии, выращенном в магнитном поле | ru_RU |
dc.type | Article | ru_RU |
dc.identifier.udc | 621.315.592 | - |
Appears in Collections: | 2004, № 4 |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.