Please use this identifier to cite or link to this item: https://elib.psu.by/handle/123456789/28040
Title: Термическое дефектообразование в кремнии, выращенном в магнитном поле
Authors: Бринкевич, Д. И.
Петров, В. В.
Вабищевич, Н. В.
Issue Date: 2004
Publisher: Полоцкий государственный университет
Citation: Вестник Полоцкого государственного университета. Серия C, Фундаментальные науки. - 2004. - № 4. - C. 26-30.
Abstract: Методами измерения спектров ИК-поглощения, эффекта Холла и проводимости исследованы процессы термического дефектообразования в кремнии, выращенном из расплава при наложении комбинированных электромагнитных полей (M-Si). Показано, что M-Si обладает более высокой термостабильностью по сравнению с кремнием, полученным по традиционной методике Чохральского. Установлена корреляция между концентрацией закалочных дефектов и содержанием фоновых технологических примесей в M-Si.
Keywords: Государственный рубрикатор НТИ - ВИНИТИ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
URI: https://elib.psu.by/handle/123456789/28040
metadata.dc.rights: open access
Appears in Collections:2004, № 4

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
26-30.pdf230.53 kBAdobe PDFThumbnail
View/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.