Please use this identifier to cite or link to this item:
https://elib.psu.by/handle/123456789/28040| Title: | Термическое дефектообразование в кремнии, выращенном в магнитном поле |
| Authors: | Бринкевич, Д. И. Петров, В. В. Вабищевич, Н. В. |
| Issue Date: | 2004 |
| Publisher: | Полоцкий государственный университет |
| Citation: | Вестник Полоцкого государственного университета. Серия C, Фундаментальные науки. - 2004. - № 4. - C. 26-30. |
| Abstract: | Методами измерения спектров ИК-поглощения, эффекта Холла и проводимости исследованы процессы термического дефектообразования в кремнии, выращенном из расплава при наложении комбинированных электромагнитных полей (M-Si). Показано, что M-Si обладает более высокой термостабильностью по сравнению с кремнием, полученным по традиционной методике Чохральского. Установлена корреляция между концентрацией закалочных дефектов и содержанием фоновых технологических примесей в M-Si. |
| Keywords: | Государственный рубрикатор НТИ - ВИНИТИ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| URI: | https://elib.psu.by/handle/123456789/28040 |
| metadata.dc.rights: | open access |
| Appears in Collections: | 2004, № 4 |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.