Please use this identifier to cite or link to this item: https://elib.psu.by/handle/123456789/28041
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorГруздев, В. А.-
dc.contributor.authorПетрович, О. Н.-
dc.date.accessioned2021-11-15T08:21:33Z-
dc.date.available2021-11-15T08:21:33Z-
dc.date.issued2004-
dc.identifier.citationВестник Полоцкого государственного университета. Серия C, Фундаментальные науки. - 2004. - № 4. - C. 21-25.ru_RU
dc.identifier.issn2070-1624-
dc.identifier.urihttps://elib.psu.by/handle/123456789/28041-
dc.description.abstractПолучено аналитическое выражение распределения потенциала в плоском вакуумном диоде при прохождении тока в режиме насыщения в приближении нулевой начальной скорости электронов, которое представляет собой обобщенный закон «степени трех вторых» с учетом ненулевого значения напряженности поля у катода.ru_RU
dc.language.isoruru_RU
dc.publisherПолоцкий государственный университетru_RU
dc.relation.ispartofВеснік Полацкага дзяржаўнага ўніверсітэта. Серыя C, Фундаментальныя навукіbe_BE
dc.relation.ispartofHerald of Polotsk State University. Series C, Fundamental sciencesen_EN
dc.relation.ispartofВестник Полоцкого государственного университета. Серия C, Фундаментальные наукиru_RU
dc.relation.ispartofseriesСерия C, Фундаментальные науки;2004. - № 4-
dc.rightsopen accessru_RU
dc.subjectГосударственный рубрикатор НТИ - ВИНИТИ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физикаru_RU
dc.titleРаспределение потенциала в плоском диоде в режиме насыщенияru_RU
dc.typeArticleru_RU
dc.identifier.udc621.383-
Appears in Collections:2004, № 4
Электрофизика. Плазменные эмиссионные системы.

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
21-25.pdf278.67 kBAdobe PDFThumbnail
View/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.