Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: https://elib.psu.by/handle/123456789/28041
Название: Распределение потенциала в плоском диоде в режиме насыщения
Авторы: Груздев, В. А.
Петрович, О. Н.
Дата публикации: 2004
Издатель: Полоцкий государственный университет
Библиографическое описание: Вестник Полоцкого государственного университета. Серия C, Фундаментальные науки. - 2004. - № 4. - C. 21-25.
Аннотация: Получено аналитическое выражение распределения потенциала в плоском вакуумном диоде при прохождении тока в режиме насыщения в приближении нулевой начальной скорости электронов, которое представляет собой обобщенный закон «степени трех вторых» с учетом ненулевого значения напряженности поля у катода.
Ключевые слова: Государственный рубрикатор НТИ - ВИНИТИ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
URI (Унифицированный идентификатор ресурса): https://elib.psu.by/handle/123456789/28041
Права доступа: open access
Располагается в коллекциях:2004, № 4
Электрофизика. Плазменные эмиссионные системы.

Файлы этого ресурса:
Файл Описание РазмерФормат 
21-25.pdf278.67 kBAdobe PDFЭскиз
Просмотреть/Открыть


Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.