Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: https://elib.psu.by/handle/123456789/32400
Название: Влияние обратного пьезоэлектрическогои фотоупругого эффектов на указательную поверхность нормальной составляющей обратного тензора диэлектрической проницаемости кристалла BiTiO
Авторы: Аманова, М. А.
Навныко, В. Н.
Шепелевич, В. В.
Amanova, M.
Naunyka, V.
Shepelevich, V.
Другие названия: Influence of Inverse Piezoelectric and Photoelastic Effects on the Index Surface of the Normal Component Inverse Tensor Dielectric Permeability of the Bi12TiO20 Crystal
Дата публикации: 2022
Издатель: Полоцкий государственный университет
Библиографическое описание: Аманова, М. А. Влияние обратного пьезоэлектрического и фотоупругого эффектов на указательную поверхность нормальной составляющей обратного тензора диэлектрической проницаемости кристалла BiTiO / М. А. Аманова, В. Н. Навныко, В. В. Шепелевич // Вестник Полоцкого государственного университета. Серия C, Фундаментальные науки. - 2022. - № 4. - С. 38-42.
Аннотация: Построена и проанализирована указательная поверхность нормальной составляющей изменения компонент обратного тензора диэлектрической проницаемости фоторефрактивного кристалла Bi12TiO20 класса симметрии 23. Определены экстремальные значения указательной поверхности нормальной составляющей для кристалла Bi12TiO20 с записанной фазовой голографической решеткой. Показано, что совместное действие фотоупругого и обратного пьезоэлектрического эффектов приводит к изменению максимальных и минимальных значений нормальной составляющей изменения компонент обратного тензора диэлектрической проницаемости кристалла с волновым вектором голографической решетки, ориентированным вдоль кристаллографического направления [112].
URI (Унифицированный идентификатор ресурса): https://elib.psu.by/handle/123456789/32400
Права доступа: open access
DOI: 10.52928/2070-1624-2022-38-4-38-42
Располагается в коллекциях:2022, № 4

Файлы этого ресурса:
Файл РазмерФормат 
38-42.pdf309.03 kBAdobe PDFПросмотреть/Открыть


Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.