Please use this identifier to cite or link to this item:
https://elib.psu.by/handle/123456789/40092| Title: | Пленки позитивного диазохинон-новолачного фоторезиста ФП9120, имплантированные ионами серебра |
| Authors: | Вабищевич, С. А. Вабищевич, Н. В. Бринкевич, Д. И. Просолович, В. С. Vabishchevich, S. Vabishchevich, N. Brinkevich, D. Prosolovich, V. |
| Other Titles: | Films of Positive Diazoquinone-Novolac Photoresist Fp9120 Implanted with Silver Ions |
| Issue Date: | 2023 |
| Publisher: | Полоцкий государственный университет имени Евфросинии Полоцкой |
| Citation: | Вабищевич, С. А. Пленки позитивного диазохинон-новолачного фоторезиста ФП9120, имплантированные ионами серебра / С. А. Вабищевич, Н. В. Вабищевич, Д. И. Бринкевич, В. С. Просолович // Вестник Полоцкого государственного университета. Серия C, Фундаментальные науки. - 2023. - № 2 (41). - С. 42-47. - DOI: 10.52928/2070-1624-2023-41-2-42-47 |
| Abstract: | Методом индентирования исследованы пленки позитивного диазохинон-новолачного фоторезиста ФП9120 толщиной 1,8 мкм, имплантированные ионами Ag+ c энергией 30 кэВ в интервале доз 2,5*1016 – 1,0*1017 cм-2 на имплантаторе ИЛУ-3. Установлено, что свежеприготовленная пленка позитивного фоторезиста ФП9120 на кремнии проявляет упругопластичные свойства и после ее индентирования наблюдается упругое восстановление отпечатка. Сформированный при ионной имплантации Ag+ дозами свыше 2,5?1016 см-2 карбонизированный слой подавляет эффект восстановления отпечатка при индентировании. После длительного хранения (более 3 лет) пленка изменяет свои прочностные свойства и ведет себя как твердое (непластичное) тело. Это обусловлено сшиванием молекул фенолформальдегидной смолы, снижающим подвижность молекул в условиях внешнего воздействия. Сплошной алмазоподобный карбонизированный слой, сформированный в области пробега ионов при имплантации ионами Ag+, способствует увеличению значений истинной микротвердости фоторезистивной пленки после длительного хранения. |
| metadata.local.description.annotation: | Films of positive diazoquinone-novolac photoresist FP9120 1,8 ?m thick, implanted with Ag+ ions with an energy of 30 keV in the dose range of 2,5?1016 – 1,0?1017 cm–2, were studied by indentation using an ILU-3 implanter. It has been established that a freshly prepared film of the positive photoresist FP9120 on silicon exhibits elastic-plastic properties and, after its indentation, an elastic recovery of the imprint is observed. The carbonized layer formed during ion implantation of Ag+ with doses above 2,5?1016 cm–2 suppresses the effect of imprint restoration during indentation. After long-term storage (more than 3 years), the film changes its strength properties and behaves like a solid (non-plastic) body. This is due to the cross-linking of phenol-formaldehyde resin molecules, which reduces the mobility of molecules under external influence. A continuous diamond-like carbonized layer formed in the range of ions. when implanted with Ag+ ions, it contributes to an increase in the values of the true microhardness of the photoresistive film after long-term storage. |
| URI: | https://elib.psu.by/handle/123456789/40092 |
| metadata.dc.rights: | open access |
| metadata.dc.identifier.doi: | 10.52928/2070-1624-2023-41-2-42-47 |
| Appears in Collections: | 2023, № 2 (41) |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.