Please use this identifier to cite or link to this item:
https://elib.psu.by/handle/123456789/432Full metadata record
| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Бринкевич, Д. И. | - |
| dc.contributor.author | Петров, В. В. | - |
| dc.contributor.author | Просолович, В. С. | - |
| dc.contributor.author | Вабищевич, Н. В. | - |
| dc.contributor.author | Вабищевич, С. А. | - |
| dc.contributor.author | Петлицкий, А. Н. | - |
| dc.date.accessioned | 2013-10-17T07:49:49Z | - |
| dc.date.available | 2013-10-17T07:49:49Z | - |
| dc.date.issued | 2011 | - |
| dc.identifier.citation | Вестник Полоцкого государственного университета. Серия C, Фундаментальные науки: научно-теоретический журнал.- Новополоцк : ПГУ, 2011.- № 12.- С. 73-76. | ru_RU |
| dc.identifier.uri | https://elib.psu.by/handle/123456789/432 | - |
| dc.description | Silicon Yardening at the Sio2/Si Interface / D. Brinkevich, V. Petrov, V. Prosolovich, N. Vabishchevich, S. Vabishchevich, A. Petlitskiy | ru_RU |
| dc.description.abstract | Методом микроиндентирования исследовано влияние окисла на прочностные характеристики приповерхностных слоев монокристаллического кремния. Экспериментально показано, что у границы раздела SiO2/Si существует упрочненный слой толщиной 0,2 – 0,4 мкм с микротвердостью 20 – 35 ГПа, которая в два-три раза превосходит величину микротвердости, характерную для объема монокристалла. Толщина и величина микротвердости указанного слоя зависят от условий выращивания окисла. Формирование этого слоя обусловлено, вероятнее всего, междоузельными атомами кремния, образующимися у границы раздела SiO2/Si при окислении кремния. | ru_RU |
| dc.language.iso | ru | ru_RU |
| dc.publisher | Полоцкий государственный университет | ru_RU |
| dc.relation.ispartof | Веснік Полацкага дзяржаўнага ўніверсітэта. Серыя C, Фундаментальныя навукі | be_BE |
| dc.relation.ispartof | Herald of Polotsk State University. Series C, Fundamental sciences | en_EN |
| dc.relation.ispartof | Вестник Полоцкого государственного университета. Серия C, Фундаментальные науки | ru_RU |
| dc.relation.ispartofseries | Серия C, Фундаментальные науки;2011. - № 12 | - |
| dc.rights | open access | ru_RU |
| dc.subject | Электротехника в целом | ru_RU |
| dc.subject | монокристаллический кремний | ru_RU |
| dc.subject | приповерхностные слои | ru_RU |
| dc.title | Упрочнение кремния вблизи границы раздела SiO[2]/Si | ru_RU |
| dc.type | Article | ru_RU |
| Appears in Collections: | 2011, № 12 | |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.