Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс:
https://elib.psu.by/handle/123456789/432| Название: | Упрочнение кремния вблизи границы раздела SiO[2]/Si |
| Авторы: | Бринкевич, Д. И. Петров, В. В. Просолович, В. С. Вабищевич, Н. В. Вабищевич, С. А. Петлицкий, А. Н. |
| Дата публикации: | 2011 |
| Издатель: | Полоцкий государственный университет |
| Библиографическое описание: | Вестник Полоцкого государственного университета. Серия C, Фундаментальные науки: научно-теоретический журнал.- Новополоцк : ПГУ, 2011.- № 12.- С. 73-76. |
| Аннотация: | Методом микроиндентирования исследовано влияние окисла на прочностные характеристики приповерхностных слоев монокристаллического кремния. Экспериментально показано, что у границы раздела SiO2/Si существует упрочненный слой толщиной 0,2 – 0,4 мкм с микротвердостью 20 – 35 ГПа, которая в два-три раза превосходит величину микротвердости, характерную для объема монокристалла. Толщина и величина микротвердости указанного слоя зависят от условий выращивания окисла. Формирование этого слоя обусловлено, вероятнее всего, междоузельными атомами кремния, образующимися у границы раздела SiO2/Si при окислении кремния. |
| Ключевые слова: | Электротехника в целом монокристаллический кремний приповерхностные слои |
| URI (Унифицированный идентификатор ресурса): | https://elib.psu.by/handle/123456789/432 |
| Права доступа: | open access |
| Располагается в коллекциях: | 2011, № 12 |
Файлы этого ресурса:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 73-76.pdf | 344.47 kB | Adobe PDF |  Просмотреть/Открыть |
Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.