Please use this identifier to cite or link to this item:
https://elib.psu.by/handle/123456789/45955| Title: | Прочностные свойства имплантированных ионами сурьмы пленок диазохинон-новолачного фоторезиста ФП9120 на монокристаллическом кремнии |
| Authors: | Вабищевич, С. А. Вабищевич, Н. В. Бринкевич, Д. И. Просолович, В. С. Vabishchevich, S. Vabishchevich, N. Brinkevich, D. Prosolovich, V. |
| Other Titles: | Strength Properties of Diazoquinone Photoresist FP9120 Films on Monocrystalline Silicon Implanted with Antimony Ions |
| Issue Date: | 2024 |
| Publisher: | Полоцкий государственный университет имени Евфросинии Полоцкой |
| Citation: | Вабищевич, С. А. Прочностные свойства имплантированных ионами сурьмы пленок диазохинон-новолачного фоторезиста ФП9120 на монокристаллическом кремнии / С. А. Вабищевич, Н. В. Вабищевич, Д. И. Бринкевич, В. С. Просолович // Вестник Полоцкого государственного университета. Серия C, Фундаментальные науки. - 2024. - № 2 (43). - С. 41-46. - DOI: 10.52928/2070-1624-2024-43-2-41-46 |
| Abstract: | Методом индентирования исследована модификация в процессе длительного хранения прочностных свойств имплантированных ионами Sb+ пленок диазохинон-новолачного фоторезиста ФП9120 на монокристаллическом кремнии. Зависимости микротвердости от нагрузки после имплантации были немонотонными, что обусловлено наличием у границы раздела фоторезист/кремний упругих напряжений. При длительном хранении наблюдалась их релаксация, обусловившая исчезновение немонотонности на зависимостях микротвердости от нагрузки. Обнаружено сшивание молекул фенолформальдегидной смолы при длительном хранении. Этот процесс был стимулирован разложением в процессе ионной имплантации диазохинона. После длительного хранения имплантированная фоторезистивная пленка становится менее подверженной упругопластическому восстановлению после снятия нагрузки. |
| metadata.local.description.annotation: | The modification of the strength properties of films implanted with Sb+ ions of diazoquinone-novolac photoresist FP9120 on monocrystalline silicon during long-term storage was investigated by the indentation method. The dependence of microhardness on the load after implantation was nonmonotonic, due to the presence of elastic stresses at the photoresist/silicon interface. During long-term storage, their relaxation was observed, which leads to the disappearance of the non-monotonicity of the microhardness dependences on the load. The crosslinking of phenol-formaldehyde resin molecules during long-term storage was also noted. This process was stimulated by the decomposition of diazoquinone during ion implantation. During storage, the implanted photoresistive film becomes less susceptible to elastoplastic recovery after the load is removed. |
| URI: | https://elib.psu.by/handle/123456789/45955 |
| metadata.dc.rights: | open access |
| metadata.dc.identifier.doi: | 10.52928/2070-1624-2024-43-2-41-46 |
| Appears in Collections: | 2024, № 2 (43) |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.