Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: https://elib.psu.by/handle/123456789/45955
Название: Прочностные свойства имплантированных ионами сурьмы пленок диазохинон-новолачного фоторезиста ФП9120 на монокристаллическом кремнии
Авторы: Вабищевич, С. А.
Вабищевич, Н. В.
Бринкевич, Д. И.
Просолович, В. С.
Vabishchevich, S.
Vabishchevich, N.
Brinkevich, D.
Prosolovich, V.
Другие названия: Strength Properties of Diazoquinone Photoresist FP9120 Films on Monocrystalline Silicon Implanted with Antimony Ions
Дата публикации: 2024
Издатель: Полоцкий государственный университет имени Евфросинии Полоцкой
Библиографическое описание: Вабищевич, С. А. Прочностные свойства имплантированных ионами сурьмы пленок диазохинон-новолачного фоторезиста ФП9120 на монокристаллическом кремнии / С. А. Вабищевич, Н. В. Вабищевич, Д. И. Бринкевич, В. С. Просолович // Вестник Полоцкого государственного университета. Серия C, Фундаментальные науки. - 2024. - № 2 (43). - С. 41-46. - DOI: 10.52928/2070-1624-2024-43-2-41-46
Аннотация: Методом индентирования исследована модификация в процессе длительного хранения прочностных свойств имплантированных ионами Sb+ пленок диазохинон-новолачного фоторезиста ФП9120 на монокристаллическом кремнии. Зависимости микротвердости от нагрузки после имплантации были немонотонными, что обусловлено наличием у границы раздела фоторезист/кремний упругих напряжений. При длительном хранении наблюдалась их релаксация, обусловившая исчезновение немонотонности на зависимостях микротвердости от нагрузки. Обнаружено сшивание молекул фенолформальдегидной смолы при длительном хранении. Этот процесс был стимулирован разложением в процессе ионной имплантации диазохинона. После длительного хранения имплантированная фоторезистивная пленка становится менее подверженной упругопластическому восстановлению после снятия нагрузки.
Аннотация на другом языке: The modification of the strength properties of films implanted with Sb+ ions of diazoquinone-novolac photoresist FP9120 on monocrystalline silicon during long-term storage was investigated by the indentation method. The dependence of microhardness on the load after implantation was nonmonotonic, due to the presence of elastic stresses at the photoresist/silicon interface. During long-term storage, their relaxation was observed, which leads to the disappearance of the non-monotonicity of the microhardness dependences on the load. The crosslinking of phenol-formaldehyde resin molecules during long-term storage was also noted. This process was stimulated by the decomposition of diazoquinone during ion implantation. During storage, the implanted photoresistive film becomes less susceptible to elastoplastic recovery after the load is removed.
URI (Унифицированный идентификатор ресурса): https://elib.psu.by/handle/123456789/45955
Права доступа: open access
DOI: 10.52928/2070-1624-2024-43-2-41-46
Располагается в коллекциях:2024, № 2 (43)

Файлы этого ресурса:
Файл РазмерФормат 
41-46.pdf812.84 kBAdobe PDFПросмотреть/Открыть


Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.