Новый метод формирования фторуглеродных покрытий

Abstract

Разработан новый метод синтеза фторуглеродных покрытий с применением прямого осаждения из пучков ионов, формируемых торцевым холловским ускорителем. В качестве рабочих газов использовались метан и фреон C3F8. Измерены вольтамперные характеристики, ток разряда монотонно увеличивался в диапазоне значений анодного напряжения 80–115 В. Дальнейшее повышение напряжения вызвало резкий рост тока разряда. Это можно объяснить ростом концентрации ионов углерода и водорода. Установлено, что энергия ионов в пучке составляла 10–110 эВ и зависела от напряжения на аноде. Оптическая спектроскопия показала, что в плазменном разряде присутствуют линии свечения атомов Н, С, F радикалов и отрицательных ионов CF3. Установлено, что скорость нанесения росла с увеличением тока разряда, анодного напряжения. В тоже время скорость уменьшалась с увеличением парциального давления фреона и температуры подложки.