Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс:
https://elib.psu.by/handle/123456789/47402| Название: | Использование пленок поликристаллического кремния, легированных в процессе роста фосфором, для создания субмикронных интегральных микросхем |
| Авторы: | Наливайко, О. Ю. |
| Дата публикации: | 2025 |
| Издатель: | Полоцкий государственный университет имени Евфросинии Полоцкой |
| Библиографическое описание: | Наливайко, О. Ю. Использование пленок поликристаллического кремния, легированных в процессе роста фосфором, для создания субмикронных интегральных микросхем / О. Ю. Наливайко // Актуальные проблемы физики, электроники и энергетики [Электронный ресурс] : электронный сборник статей II Международной научно-практической конференции, Новополоцк, 14 ноября 2024 г. / Полоцкий государственный университет имени Евфросинии Полоцкой. – Новополоцк, 2025. – С. 237-242. |
| Аннотация: | Рассмотрена кинетика процесса осаждения пленок поликристаллического кремния, легированного фосфором в процессе роста (ПКЛФ). Описаны основные направления улучшения электрофизических свойств пленок поликристаллического кремния, легированного фосфором в процессе роста для использования в производстве интегральных микросхем с субмикронными проектными нормами. |
| URI (Унифицированный идентификатор ресурса): | https://elib.psu.by/handle/123456789/47402 |
| Права доступа: | open access |
| Располагается в коллекциях: | Актуальные проблемы физики, электроники и энергетики. 2024 |
Файлы этого ресурса:
| Файл | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|
| 237-242.pdf | 1.67 MB | Adobe PDF | Просмотреть/Открыть |
Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.