Please use this identifier to cite or link to this item:
https://elib.psu.by/handle/123456789/47402Full metadata record
| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Наливайко, О. Ю. | ru_RU |
| dc.date.accessioned | 2025-04-10T05:32:23Z | - |
| dc.date.available | 2025-04-10T05:32:23Z | - |
| dc.date.issued | 2025 | |
| dc.identifier.citation | Наливайко, О. Ю. Использование пленок поликристаллического кремния, легированных в процессе роста фосфором, для создания субмикронных интегральных микросхем / О. Ю. Наливайко // Актуальные проблемы физики, электроники и энергетики [Электронный ресурс] : электронный сборник статей II Международной научно-практической конференции, Новополоцк, 14 ноября 2024 г. / Полоцкий государственный университет имени Евфросинии Полоцкой. – Новополоцк, 2025. – С. 237-242. | ru_RU |
| dc.identifier.uri | https://elib.psu.by/handle/123456789/47402 | - |
| dc.description.abstract | Рассмотрена кинетика процесса осаждения пленок поликристаллического кремния, легированного фосфором в процессе роста (ПКЛФ). Описаны основные направления улучшения электрофизических свойств пленок поликристаллического кремния, легированного фосфором в процессе роста для использования в производстве интегральных микросхем с субмикронными проектными нормами. | ru_RU |
| dc.language.iso | ru | ru_RU |
| dc.publisher | Полоцкий государственный университет имени Евфросинии Полоцкой | ru_RU |
| dc.rights | open access | ru_RU |
| dc.title | Использование пленок поликристаллического кремния, легированных в процессе роста фосфором, для создания субмикронных интегральных микросхем | ru_RU |
| dc.type | Article | ru_RU |
| dc.citation.spage | 237 | ru_RU |
| dc.citation.epage | 242 | ru_RU |
| Appears in Collections: | Актуальные проблемы физики, электроники и энергетики. 2024 | |
Files in This Item:
| File | Size | Format | |
|---|---|---|---|
| 237-242.pdf | 1.67 MB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.