Please use this identifier to cite or link to this item:
https://elib.psu.by/handle/123456789/47402| Title: | Использование пленок поликристаллического кремния, легированных в процессе роста фосфором, для создания субмикронных интегральных микросхем |
| Authors: | Наливайко, О. Ю. |
| Issue Date: | 2025 |
| Publisher: | Полоцкий государственный университет имени Евфросинии Полоцкой |
| Citation: | Наливайко, О. Ю. Использование пленок поликристаллического кремния, легированных в процессе роста фосфором, для создания субмикронных интегральных микросхем / О. Ю. Наливайко // Актуальные проблемы физики, электроники и энергетики [Электронный ресурс] : электронный сборник статей II Международной научно-практической конференции, Новополоцк, 14 ноября 2024 г. / Полоцкий государственный университет имени Евфросинии Полоцкой. – Новополоцк, 2025. – С. 237-242. |
| Abstract: | Рассмотрена кинетика процесса осаждения пленок поликристаллического кремния, легированного фосфором в процессе роста (ПКЛФ). Описаны основные направления улучшения электрофизических свойств пленок поликристаллического кремния, легированного фосфором в процессе роста для использования в производстве интегральных микросхем с субмикронными проектными нормами. |
| URI: | https://elib.psu.by/handle/123456789/47402 |
| metadata.dc.rights: | open access |
| Appears in Collections: | Актуальные проблемы физики, электроники и энергетики. 2024 |
Files in This Item:
| File | Size | Format | |
|---|---|---|---|
| 237-242.pdf | 1.67 MB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.