Please use this identifier to cite or link to this item:
https://elib.psu.by/handle/123456789/20540| Title: | Редкоземельные элементы в монокристаллическом кремнии. Глава 3. Поведение Si:P3Э в полях ионизирующих излучений : монография |
| Authors: | Вабищевич, С. А. |
| Issue Date: | 2003 |
| Publisher: | Полоцкий государственный университет |
| Citation: | Вабищевич, С. А. Поведение Si:P3Э в полях ионизирующих излучений // Редкоземельные элементы в монокристаллическом кремнии : монография / Д.И. Бринкевич, С.А. Вабищевич, B.C. Просолович, Ю.В. Янковский. – Новополоцк : ПГУ, 2003. – Гл. 3. – С. 72–101. |
| Abstract: | Приведен обзор поведения примесей редкоземельных элементов в монокристаллическом кремнии. Описаны процессы, протекающие при ионном внедрении лантаноидов и последующем отжиге ионно-имплантированных слоев. Освещены возможности использования редкоземельных элементов в технологии изготовления интегральных схем и дискретных полупроводниковых приборов. Предназначена для специалистов в области материаловедения полупроводников в производства полупроводниковых приборов, а также аспирантов и студентов высших учебных заведений. |
| Keywords: | Облучение γ-квантами и электронами Накопление радиационных дефектов Влияние редкоземельных элементов на свойства нейтронно-облученного кремния Радиационно-ускоренная диффузия редкоземельных элементов в кремнии |
| URI: | https://elib.psu.by/handle/123456789/20540 |
| Appears in Collections: | Разделы и главы из монографий |
Files in This Item:
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| Вабищевич С. А._Монография_2003-Глава 3.pdf | 3.69 MB | Adobe PDF |  View/Open | |
| Вабищевич С.А._монография_2003-Список использованной литературы.pdf | 1.05 MB | Adobe PDF |  View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.