Please use this identifier to cite or link to this item: https://elib.psu.by/handle/123456789/38089
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorНаливайко, О. Ю.ru_RU
dc.contributor.authorЦивако, А. А.ru_RU
dc.contributor.authorКовальчук, Н. С.ru_RU
dc.contributor.authorТрусов, В. Л.ru_RU
dc.contributor.authorЧуйко, В. Н.ru_RU
dc.contributor.authorКисель, А. М.ru_RU
dc.date.accessioned2023-02-22T08:31:33Z-
dc.date.available2023-02-22T08:31:33Z-
dc.date.issued2023
dc.identifier.citationНаливайко, О. Ю. Создание субмикронных структур интегральных микросхем с многоуровневой металлизацией / О. Ю. Наливайко, А. А. Цивако, Н. С. Ковальчук, В. Л. Трусов, В. Н. Чуйко, А. М. Кисель // Актуальные проблемы физики, электроники и энергетики [Электронный ресурс] : электронный сборник статей I Международной научно-практической конференции, Новополоцк, 27–28 окт. 2022 г. / Полоцкий государственный университет имени Евфросинии Полоцкой. – Новополоцк, 2023. – С. 171-177.ru_RU
dc.identifier.urihttps://elib.psu.by/handle/123456789/38089-
dc.description.abstractРассмотрены основные технологические процессы, используемые для производства интегральных микросхем с проектными нормами 0,35 мкм. Предложен маршрут формирования межкомпонентной изоляции канавками, заполненными диэлектриком. Описаны особенности процессов осаждения пленок поликристаллического кремния, легированного фосфором в процессе роста, осаждения и химико-механической полировки слоев вольфрама, осаждения межуровневого диэлектрика и формирования многоуровневой металлизированной разводки с «контактными столбиками» из вольфрама.ru_RU
dc.language.isoruru_RU
dc.publisherПолоцкий государственный университет имени Евфросинии Полоцкойru_RU
dc.titleСоздание субмикронных структур интегральных микросхем с многоуровневой металлизациейru_RU
dc.typeArticleru_RU
dc.citation.spage171ru_RU
dc.citation.epage177ru_RU
Appears in Collections:Актуальные проблемы физики, электроники и энергетики. 2023

Files in This Item:
File SizeFormat 
171-177.pdf1.01 MBAdobe PDFView/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.