Please use this identifier to cite or link to this item:
https://elib.psu.by/handle/123456789/47425| Title: | Моделирование p-i-n фотодиодов на основе AlGaN |
| Authors: | Ворсин, Н. Н. Гладыщук, А. А. Кушнер, Т. Л. Тарасюк, Н. П. Чугунов, С. В. |
| Issue Date: | 2025 |
| Publisher: | Полоцкий государственный университет имени Евфросинии Полоцкой |
| Citation: | Ворсин, Н. Н. Моделирование p-i-n фотодиодов на основе AlGaN / Н. Н. Ворсин, А. А. Гладыщук, Т. Л. Кушнер, Н. П. Тарасюк [и др.] // Актуальные проблемы физики, электроники и энергетики [Электронный ресурс] : электронный сборник статей II Международной научно-практической конференции, Новополоцк, 14 ноября 2024 г. / Полоцкий государственный университет имени Евфросинии Полоцкой. – Новополоцк, 2025. – С. 36-40. |
| Abstract: | Тройные соединения AlGaN с шириной запрещенной зоны от 3,4 до 6,2 эВ являются перспективными материалами для фотоприемных устройств в ультрафиолетовом диапазоне. С помощью программного обеспечения COMSOL Multiphysics на основе AlxGa1-xN разработана модель p-i-n фотодиода, включая его ВАХ, спектральную чувствительность принимаемого излучения и коэффициента поглощения как функции доли алюминия и толщины обедненного слоя. Пиковая чувствительность фотодиода составляет от 0,08 до 0,18 A/Вт в диапазоне длин волн от 0,20 до 0,33 мкм. |
| URI: | https://elib.psu.by/handle/123456789/47425 |
| metadata.dc.rights: | open access |
| Appears in Collections: | Актуальные проблемы физики, электроники и энергетики. 2024 |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.