Please use this identifier to cite or link to this item:
https://elib.psu.by/handle/123456789/28041| Title: | Распределение потенциала в плоском диоде в режиме насыщения |
| Authors: | Груздев, В. А. Петрович, О. Н. |
| Issue Date: | 2004 |
| Publisher: | Полоцкий государственный университет |
| Citation: | Вестник Полоцкого государственного университета. Серия C, Фундаментальные науки. - 2004. - № 4. - C. 21-25. |
| Abstract: | Получено аналитическое выражение распределения потенциала в плоском вакуумном диоде при прохождении тока в режиме насыщения в приближении нулевой начальной скорости электронов, которое представляет собой обобщенный закон «степени трех вторых» с учетом ненулевого значения напряженности поля у катода. |
| Keywords: | Государственный рубрикатор НТИ - ВИНИТИ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| URI: | https://elib.psu.by/handle/123456789/28041 |
| metadata.dc.rights: | open access |
| Appears in Collections: | 2004, № 4 Электрофизика. Плазменные эмиссионные системы. |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.