Please use this identifier to cite or link to this item:
https://elib.psu.by/handle/123456789/432| Title: | Упрочнение кремния вблизи границы раздела SiO[2]/Si |
| Authors: | Бринкевич, Д. И. Петров, В. В. Просолович, В. С. Вабищевич, Н. В. Вабищевич, С. А. Петлицкий, А. Н. |
| Issue Date: | 2011 |
| Publisher: | Полоцкий государственный университет |
| Citation: | Вестник Полоцкого государственного университета. Серия C, Фундаментальные науки: научно-теоретический журнал.- Новополоцк : ПГУ, 2011.- № 12.- С. 73-76. |
| Abstract: | Методом микроиндентирования исследовано влияние окисла на прочностные характеристики приповерхностных слоев монокристаллического кремния. Экспериментально показано, что у границы раздела SiO2/Si существует упрочненный слой толщиной 0,2 – 0,4 мкм с микротвердостью 20 – 35 ГПа, которая в два-три раза превосходит величину микротвердости, характерную для объема монокристалла. Толщина и величина микротвердости указанного слоя зависят от условий выращивания окисла. Формирование этого слоя обусловлено, вероятнее всего, междоузельными атомами кремния, образующимися у границы раздела SiO2/Si при окислении кремния. |
| Keywords: | Электротехника в целом монокристаллический кремний приповерхностные слои |
| URI: | https://elib.psu.by/handle/123456789/432 |
| metadata.dc.rights: | open access |
| Appears in Collections: | 2011, № 12 |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.