Browsing by Author Brinkevich, D.

Jump to: 0-9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z
А Б В Г Д Е Ж З И Й К Л М Н О П Р С Т У Ф Х Ц Ч Ш Щ Ъ Ы Ь Э Ю Я
or enter first few letters:  
Showing results 1 to 16 of 16
Issue DateTitleAuthor(s)
2020Adhesion of Diazoquinone–Novolac Photoresist Films Implanted with Boron and Phosphorus Ions to Single-Crystal SiliconVabishchevich, S.; Brinkevich, S.; Brinkevich, D.; Prosolovich, V.
2020Effect of Ion Implantation on the Adhesion of Positive Diazoquinone-Novolak Photoresist Films to Single-Crystal SiliconVabishchevich, S.; Brinkevich, S.; Prosolovich, V.; Vabishchevich, N.; Brinkevich, D.
2012Micromechanical properties of GaP〈Dy〉 epilayersBrinkevich, D.; Vabishchevich, N.; Prosolovich, V.
2013Physical and mechanical properties of silicon near the SiO2/Si interfaceBrinkevich, D.; Vabishchevich, N.; Vabishchevich, S.; Petlitski, A.; Prosolovich, V.; Yankovskii, Yu.
2011Strength of irradiated single-crystal siliconBrinkevich, D.; Prosolovich, V.; Yankovski, Yu.; Vabishchevich, S.
2011Structure and Electron-Transport Properties of Photoresist Implanted by Sb + ionsVabishchevich, N.; Brinkevich, D.; Volobuev, V.; Lukashevich, M.; Prosolovich, V.; Sidorenko, Yu.; Odzhaev, V.; Partyka, J.
2021Адгезия гамма-облученных пленок позитивного фоторезиста к монокристаллическому кремниюВабищевич, С. А.; Вабищевич, Н. В.; Бринкевич, Д. И.; Просолович, В. С.; Vabishchevich, S.; Vabishchevich, N.; Brinkevich, D.; Prosolovich, V.
2021Адгезия облученных пленок диазохинонноволачного фоторезиста к монокристаллическому кремниюВабищевич, С. А.; Бринкевич, С. Д.; Вабищевич, Н. В.; Бринкевич, Д. И.; Просолович, В. С.; Vabishchevich, S.; Brinkevich, S.; Vabishchevich, N.; Brinkevich, D.; Prosolovich, V.
2021Время жизни носителей заряда в пластинах монокристаллического кремния с пленками диазохинон-новолачного фоторезистаВабищевич, С. А.; Вабищевич, Н. В.; Бринкевич, Д. И.; Просолович, В. С.; Тарасик, М. И.; Vabishchevich, S.; Vabishchevich, N.; Brinkevich, D.; Prosolovich, V.; Tarasik, M.
2021Модификация пленок диазохинон-новолачного фоторезиста имплантацией ионов бора и фосфора при повышенной плотности ионного токаШестовский, Д. В.; Бринкевич, Д. И.; Просолович, В. С.; Янковский, Ю. Н.; Вабищевич, С. А.; Вабищевич, Н. В.; Shestovsky, D.; Brinkevich, D.; Prosolovich, V.; Yankovsky, U.; Vabishchevich, S.; Vabishchevich, N.
2022Накопление радионуклидов в сменных деталях и водной мишени циклотронаКийко, А. Н.; Вабищевич, С. А.; Вабищевич, Н. В.; Бринкевич, Д. И.; Kiyko, A.; Vabishchevich, S.; Vabishchevich, N.; Brinkevich, D.
2022Прочностные свойства фоторезистов для взрывной литографииВабищевич, С. А.; Вабищевич, Н. В.; Бринкевич, Д. И.; Просолович, В. С.; Колос, В. В.; Зубова, О. А.; Vabishchevich, S.; Vabishchevich, N.; Brinkevich, D.; Prosolovich, V.; Kolos, V.; Zubova, O.
2020Радиационно-индуцированные процессы в пленках диазохинон-новолачного резиста на кремнии при имплантации ионов Ag+Вабищевич, С. А.; Вабищевич, Н. В.; Эспиноза Де Лос Монтеро, Г. А.; Бринкевич, Д. И.; Просолович, В. С.; Vabishchevich, S.; Vabishchevich, N.; Espinoza De Los Monteros, G.; Brinkevich, D.; Prosolovich, V.
2016Склерометрический метод измерения микротвердости пленок фоторезиста на кремнииБринкевич, Д. И.; Просолович, В. С.; Янковский, Ю. Н.; Вабищевич, С. А.; Вабищевич, Н. В.; Гайшун, В. Е.; Brinkevich, D.; Yankovski, Y.; Vabishchevich, S.; Vabishchevich, N.; Gaishun, V.; Prosolovich, V.
2021Трещиностойкость пленок диазохинон-новолачного фоторезиста на пластинах монокристаллического кремнияВабищевич, С. А.; Вабищевич, Н. В.; Бринкевич, Д. И.; Просолович, В. С.; Vabishchevich, S.; Vabishchevich, N.; Brinkevich, D.; Prosolovich, V.
2020Физико-механические свойства облученных пленок диазохинон-новолачного фоторезиста на кремнииВабищевич, С. А.; Вабищевич, Н. В.; Бринкевич, Д. И.; Просолович, В. С.; Vabishchevich, S.; Vabishchevich, N.; Brinkevich, D.; Prosolovich, V.