Browsing by Author Вабищевич, С. А.

Jump to: 0-9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z
А Б В Г Д Е Ж З И Й К Л М Н О П Р С Т У Ф Х Ц Ч Ш Щ Ъ Ы Ь Э Ю Я
or enter first few letters:  
Showing results 81 to 100 of 115 < previous   next >
Issue DateTitleAuthor(s)
2020Радиационно-индуцированные процессы в пленках диазохинон-новолачного резиста на кремнии при имплантации ионов Ag+Вабищевич, С. А.; Вабищевич, Н. В.; Эспиноза Де Лос Монтеро, Г. А.; Бринкевич, Д. И.; Просолович, В. С.; Vabishchevich, S.; Vabishchevich, N.; Espinoza De Los Monteros, G.; Brinkevich, D.; Prosolovich, V.
2019Радиационно-индуцированные процессы в пленках пиролитического графита, используемых в системе вывода пучка коммерческих циклотроновВабищевич, С. А.; Вабищевич, Н. В.; Бринкевич, Д. И.
2022Радиологические аспекты вывода циклотрона из эксплуатацииКийко, А. Н.; Вабищевич, С. А.; Вабищевич, Н. В.; Бринкевич, Д. И.; Kiyko, A.; Vabishchevich, S.; Vabishchevich, N.; Brinkevich, D.
2007Разупрочнение приповерхностного слоя монокристаллов антимонида индия при термообработкеБринкевич, Д. И.; Вабищевич, С. А.; Вабищевич, Н. В.
2010Разупрочнение приповерхностного слоя монокристаллов арсенида галлия при высокотемпературной обработкеБринкевич, Д. И.; Вабищевич, Н. В.; Вабищевич, С. А.
2003Редкоземельные элементы в монокристаллическом кремнии. Глава 1. Получение и свойства монокристаллов кремния, легированных редкоземельными элементами : монографияВабищевич, С. А.
2003Редкоземельные элементы в монокристаллическом кремнии. Глава 2. Термическое дефектообразование в Si:P3Э : монографияВабищевич, С. А.
2003Редкоземельные элементы в монокристаллическом кремнии. Глава 3. Поведение Si:P3Э в полях ионизирующих излучений : монографияВабищевич, С. А.
2017Силикатное стекло, имплантированное ионами медиГоловчук, В. И.; Харченко, А. А.; Лукашевич, М. Г.; Вабищевич, С. А.; Вабищевич, Н. В.; Бринкевич, Д. И.
2017Сканирование поверхностей твердотельных структур и нефтяных диспесных систем методом атомно-силовой микроскопииВасюков, А. В.; Вабищевич, С. А.; Криштопа, В. А.
2016Склерометрический метод измерения микротвердости пленок фоторезиста на кремнииБринкевич, Д. И.; Просолович, В. С.; Янковский, Ю. Н.; Вабищевич, С. А.; Вабищевич, Н. В.; Гайшун, В. Е.; Brinkevich, D.; Yankovski, Y.; Vabishchevich, S.; Vabishchevich, N.; Gaishun, V.; Prosolovich, V.
2007Снижение микротвердости монокристаллов антимонида индия при низкотемпературном отжигеВабищевич, С. А.; Вабищевич, Н. В.; Бринкевич, Д. И.
2017Спектры отражения гамма-облученных пленок диазохинон-новолачного фоторезистаВабищевич, С. А.; Вабищевич, Н. В.; Бринкевич, Д. И.; Харченко, А. А.; Лукашевич, М. Г.; Просолович, В. С.; Бринкевич, С. Д.
2010Сравнительный анализ физико-механических свойств эпитаксиальных слоев кремния, полученных газофазной и жидкофазной эпитаксиейВабищевич, С. А.; Вабищевич, Н. В.; Бринкевич, Д. И.; Просолович, В. С.
2017Структурные и оптические характеристики силикатного стекла, имплантированного ионами медиГоловчук, В. И.; Харченко, А. А.; Бринкевич, Д. И.; Лукашевич, М. Г.; Вабищевич, С. А.; Вабищевич, Н. В.
2008Термическое дефектообразование в кремнии, легированном золотомПетров, В. В.; Бринкевич, Д. И.; Вабищевич, С. А.; Вабищевич, Н. В.
2021Трещиностойкость пленок диазохинон-новолачного фоторезиста на пластинах монокристаллического кремнияВабищевич, С. А.; Вабищевич, Н. В.; Бринкевич, Д. И.; Просолович, В. С.; Vabishchevich, S.; Vabishchevich, N.; Brinkevich, D.; Prosolovich, V.
2011Упрочнение кремния вблизи границы раздела SiO[2]/SiБринкевич, Д. И.; Петров, В. В.; Просолович, В. С.; Вабищевич, Н. В.; Вабищевич, С. А.; Петлицкий, А. Н.
2019Устройство измерения физических величин PhyZModuleЗмитрович, С. Ю.; Вабищевич, С. А.
2021Учебная программа учреждения высшего образования по учебной дисциплине «Аналитическая геометрия и линейная алгебра» для специальности 1-31 04 08 «Компьютерная физика»Вабищевич, С. А.; Танана, О. В.