Browsing by Author Вабищевич, С. А.

Jump to: 0-9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z
А Б В Г Д Е Ж З И Й К Л М Н О П Р С Т У Ф Х Ц Ч Ш Щ Ъ Ы Ь Э Ю Я
or enter first few letters:  
Showing results 1 to 20 of 115  next >
Issue DateTitleAuthor(s)
2014Physical and mechanical properties of silicon near the SiO2/Si interfaceБринкевич, Д. И.; Вабищевич, Н. В.; Вабищевич, С. А.; Просолович, В. С.
2019Автоматизированная система физических измеренийЗмитрович, С. Ю.; Вабищевич, С. А.; Шабанов, Д. Н.
2020Адгезионные и прочностные свойства пленок диазохинон-новолачного фоторезиста на кремнии, облученных гамма-квантамиВабищевич, С. А.; Бринкевич, Д. И.; Вабищевич, Н. В.; Просолович, В. С.; Янковский, Ю. Н.
2022Адгезионные и прочностные свойства фоторезистов для взрывной литографииПросолович, В. С.; Бринкевич, Д. И.; Колос, В. В.; Зубова, О. А.; Вабищевич, С. А.; Вабищевич, Н. В.
2021Адгезия гамма-облученных пленок позитивного фоторезиста к монокристаллическому кремниюВабищевич, С. А.; Вабищевич, Н. В.; Бринкевич, Д. И.; Просолович, В. С.; Vabishchevich, S.; Vabishchevich, N.; Brinkevich, D.; Prosolovich, V.
2020Адгезия к монокристаллическому кремнию пленок диазохинон-новолачного фоторезиста, имплантированных ионами бора и фосфораВабищевич, С. А.; Бринкевич, С. Д.; Бринкевич, Д. И.; Просолович, В. С.
2021Адгезия облученных пленок диазохинонноволачного фоторезиста к монокристаллическому кремниюВабищевич, С. А.; Бринкевич, С. Д.; Вабищевич, Н. В.; Бринкевич, Д. И.; Просолович, В. С.; Vabishchevich, S.; Brinkevich, S.; Vabishchevich, N.; Brinkevich, D.; Prosolovich, V.
2011Алгоритм измерения параметров объектов заданной формыКузьмич, В. И.; Вабищевич, С. А.
2010Алгоритм измерения параметров объектов заданной формыГурьева, В. И.; Вабищевич, С. А.
2009Алгоритм обработки изображений при определении прочностных характеристик материалГурьева, В. И.; Вабищевич, С. А.
2023Анализ применения гамма-бета-спектрометра МКС-АТ1315 для контроля нежелательных радионуклидов, образующихся в процессе производства радиофармпрепаратовКийко, А. Н.; Вабищевич, С. А.; Вабищевич, Н. В.; Бринкевич, Д. И.; Kiyko, A.; Vabishchevich, N.; Brinkevich, D.; Vabishchevich, S.
2018Атомно-силовая микроскопия пленок позитивного диазохинонноволачного фоторезиста, имплантированного ионами бораВабищевич, С. А.; Васюков, А. В.; Вабищевич, Н. В.; Бринкевич, Д. И.; Просолович, В. С.
2008Взаимодействие атомов золота с преципитатами кислорода в монокристаллическом кремнииВабищевич, С. А.; Вабищевич, Н. В.; Бринкевич, Д. И.; Просолович, В. С.; Янковский, О. Н.; Янковский, Ю. Н.
2016Взаимодействие индентора с пленками сополимеров на основе метилметакрилатаВабищевич, С. А.; Вабищевич, Н. В.; Бринкевич, Д. И.; Просолович, В. С.
2017Влияние ионной имплантации на адгезию пленок позитивного диазохинонноволачного фоторезиста к монокристаллическому кремниюПросолович, В. С.; Янковский, Ю. Н.; Вабищевич, С. А.; Степнов, А. К.; Вабищевич, Н. В.; Бринкевич, Д. И.
2021Время жизни носителей заряда в пластинах монокристаллического кремния с пленками диазохинон-новолачного фоторезистаВабищевич, С. А.; Вабищевич, Н. В.; Бринкевич, Д. И.; Просолович, В. С.; Тарасик, М. И.; Vabishchevich, S.; Vabishchevich, N.; Brinkevich, D.; Prosolovich, V.; Tarasik, M.
2013Дефектообразование в диазохинон-новолачном фоторезисте при ионной имплантацииБринкевич, Д. И.; Вабищевич, С. А.; Вабищевич, Н. В.; Просолович, В. С.; Янковский, Ю. Н.
2013Дефектообразование в фоторезисте за слоем внедрения ионовВабищевич, Н. В.; Вабищевич, С. А.; Бринкевич, Д. И.; Оджаев, В. Б.; Просолович, В. С.; Янковский, Ю. Н.; Простомолотов, А. И.
2019Долгоживущие β-излучающие радионуклиды при производстве радиофармпрепаратов на основе 18FБринкевич, Д. И.; Бринкевич, С. Д.; Вабищевич, С. А.; Крот, В. О.; Малиборский, А. Я.
2023Индентирование облученных электронами пленок диазохинон-новолачных фоторезистов на кремнииВабищевич, С. А.; Вабищевич, Н. В.; Бринкевич, Д. И.; Просолович, В. С.; Vabishchevich, S.; Vabishchevich, N.; Brinkevich, D.; Prosolovich, V.