Browsing by Author Янковский, Ю. Н.

Jump to: 0-9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z
А Б В Г Д Е Ж З И Й К Л М Н О П Р С Т У Ф Х Ц Ч Ш Щ Ъ Ы Ь Э Ю Я
or enter first few letters:  
Showing results 1 to 13 of 13
Issue DateTitleAuthor(s)
2020Адгезионные и прочностные свойства пленок диазохинон-новолачного фоторезиста на кремнии, облученных гамма-квантамиВабищевич, С. А.; Бринкевич, Д. И.; Вабищевич, Н. В.; Просолович, В. С.; Янковский, Ю. Н.
2013Дефектообразование в фоторезисте за слоем внедрения ионовВабищевич, Н. В.; Вабищевич, С. А.; Бринкевич, Д. И.; Оджаев, В. Б.; Просолович, В. С.; Янковский, Ю. Н.; Простомолотов, А. И.
2015Исследование прочностных свойств пленок фоторезиста на кремнии методом склерометрииВабищевич, С. А.; Вабищевич, Н. В.; Бринкевич, Д. И.; Просолович, В. С.; Янковский, Ю. Н.
2002Магнитотранспортные характеристики монокристаллического кремния с включениями гадолинияБринкевич, Д. И.; Вабищевич, С. А.; Лукашевич, М. Г.; Мазаник, А. А.; Просолович, В. С.; Самохвал, В. В.; Янковский, Ю. Н.
2012Микропрочностные свойства приповерхностных слоев имплантированных монокристаллов кремнияВабищевич, С. А.; Вабищевич, Н. В.; Бринкевич, Д. И.; Просолович, В. С.; Янковский, Ю. Н.
2008Микротвердость пластин кремния, имплантированных высокоэнергетичными ионами бораВабищевич, С. А.; Вабищевич, Н. В.; Бринкевич, Д. И.; Просолович, В. С.; Янковский, Ю. Н.
2021Модификация пленок диазохинон-новолачного фоторезиста имплантацией ионов бора и фосфора при повышенной плотности ионного токаШестовский, Д. В.; Бринкевич, Д. И.; Просолович, В. С.; Янковский, Ю. Н.; Вабищевич, С. А.; Вабищевич, Н. В.; Shestovsky, D.; Brinkevich, D.; Prosolovich, V.; Yankovsky, U.; Vabishchevich, S.; Vabishchevich, N.
2014Модификация поверхности позитивного фоторезиста при ионной имплантацииБринкевич, Д. И.; Просолович, В. С.; Лукашевич, М. Г.; Оджаев, В. Б.; Янковский, Ю. Н.; Вабищевич, С. А.; Вабищевич, Н. В.
2015Модификация приповерхностных слоев монокристаллов кремния имплантированных ионами В+ и Р+ в процессе создания полупроводниковых приборов по КМОП технологииБринкевич, Д. И.; Вабищевич, С. А.; Просолович, В. С.; Янковский, Ю. Н.
2010Особенности дефектообразования в кремнии, имплантированном ионами с удельной энергией ∼1 МэВ/НуклонВабищевич, С. А.; Вабищевич, Н. В.; Бринкевич, Д. И.; Просолович, В. С.; Янковский, Ю. Н.
2014Прочностные свойства структур фоторезист ФП9120 - кремнийВабищевич, С. А.; Вабищевич, Н. В.; Бринкевич, Д. И.; Просолович, В. С.; Оджаев, В. Б.; Янковский, Ю. Н.
2016Прочностные свойства структур фоторезист – кремний, γ-облученных и имплантированных ионами В+ и Р+Вабищевич, С. А.; Вабищевич, Н. В.; Бринкевич, Д. И.; Просолович, В. С.; Янковский, Ю. Н.; Бринкевич, С. Д.
2016Склерометрический метод измерения микротвердости пленок фоторезиста на кремнииБринкевич, Д. И.; Просолович, В. С.; Янковский, Ю. Н.; Вабищевич, С. А.; Вабищевич, Н. В.; Гайшун, В. Е.; Brinkevich, D.; Yankovski, Y.; Vabishchevich, S.; Vabishchevich, N.; Gaishun, V.; Prosolovich, V.